for lowest Conduction Losses The SPD04N60S5 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SPD04N60S5 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing good thermal performance.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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