for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The SPD02N80C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features as per Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** SPD02N80C3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 7pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The SPD02N80C3 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient switching  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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