SPD02N60S5

for lowest Conduction Losses The **SPD02N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage switching applications** in power supplies, motor control, and lighting.  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency.  
- **Fast switching performance** to reduce power losses.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based on Infineon’s datasheet for the **SPD02N60S5** MOSFET.

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