for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPD01N60C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 42 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 85 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 12 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 4 pF  

### **Description:**
The SPD01N60C3 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, low-power switching applications. It is part of Infineon’s CoolMOS™ C3 series, optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

The device is commonly used in power supplies, lighting, and industrial applications.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching