SIPMOS® Parametric Search The SPB80P06P is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Robust and reliable for automotive and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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