SPB80N10L

Low Voltage MOSFETs The SPB80N10L is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 80nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SPB80N10L is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It is part of Infineon’s OptiMOS™ family, optimized for low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced power dissipation  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness for improved reliability  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the SPB80N10L.

Low Voltage MOSFETs