OptiMOS Power-Transistor The SPB80N08S2L07 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 80V  
- **Current Rating (ID):** 80A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 7.0 mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous current.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the SPB80N08S2L07 MOSFET.

OptiMOS Power-Transistor