OptiMOS Power-Transistor The SPB80N08S2L-07 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 80 V  
- **Current Rating (I_D):** 80 A (continuous at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 7.0 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0 V (typical)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Technology:** OptiMOS™  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-state resistance (R_DS(on)).  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.

OptiMOS Power-Transistor