OptiMOS Power-Transistor The SPB80N08S2-07 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The SPB80N08S2-07 is designed for high-power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for automotive, industrial, and power supply applications.  
- The MOSFET is housed in a TO-263 (D2PAK) package for efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against high-energy transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the SPB80N08S2-07.

OptiMOS Power-Transistor