SPB80N06S2L-H5

OptiMOS Power-Transistor The SPB80N06S2L-H5 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 90nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for automotive and industrial applications.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the available specifications and features of the SPB80N06S2L-H5 MOSFET from Infineon.

OptiMOS Power-Transistor