N-Channel OptiMOS Power Transistor The SPB80N06S2L-11 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **R_DS(on) (Max):** 11mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low on-state resistance (R_DS(on)).  
- High current capability.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPB80N06S2L-11. For detailed application notes, refer to the official documentation.

N-Channel OptiMOS Power Transistor