OptiMOS Power-Transistor The SPB80N06S2L-09 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Application:** High-efficiency power switching in automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for high switching performance.  
- High current capability.  
- Avalanche ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

OptiMOS Power-Transistor