OptiMOS Power-Transistor The **SPB80N06S2-H5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60 nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Low on-resistance (**R_DS(on)**) for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, and automotive applications** due to its high current handling and low resistance.  

Would you like any additional details?

OptiMOS Power-Transistor