SPB80N06S2-07

N-Channel OptiMOS Power Transistor The SPB80N06S2-07 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The SPB80N06S2-07 is an N-channel MOSFET designed for high-power applications.  
- It is optimized for low on-state resistance and high switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPB80N06S2-07 MOSFET.

N-Channel OptiMOS Power Transistor