OptiMOS Power-Transistor The **SPB80N04S2L-03** is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 40V  
- **Current Rating (ID):** 80A (continuous)  
- **RDS(on) (Max):** 2.3 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** N-channel MOSFET using Infineon’s advanced power MOSFET process.  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications, including DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is optimized for performance in automotive and industrial applications where reliability and efficiency are critical.

OptiMOS Power-Transistor