OptiMOS Power-Transistor The SPB80N04S2-04 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPB80N04S2-04  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.2mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The SPB80N04S2-04 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (80A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable TO-263 package  
- Suitable for high-efficiency power conversion  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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