Low Voltage MOSFETs The **SPB80N03S2L-06** is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The **SPB80N03S2L-06** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and power conversion in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (80A continuous, 320A pulsed)  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters  
- **Fast switching performance**  
- **AEC-Q101 qualified** (suitable for automotive applications)  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on Infineon's official datasheet and product documentation.

Low Voltage MOSFETs