Low Voltage MOSFETs The SPB80N03S2L-05 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **R_DS(on) (Max):** 5 mΩ at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (Typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50 nC (Typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The SPB80N03S2L-05 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion applications.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the SPB80N03S2L-05.

Low Voltage MOSFETs