Low Voltage MOSFETs The SPB80N03S2-03 is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.2 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low on-state resistance and high current handling.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Infineon's official documentation for the SPB80N03S2-03 MOSFET.

Low Voltage MOSFETs