SPB80N03

N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPB80N03 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ at V_DS = 15V, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SPB80N03 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Enhanced thermal performance  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

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N-Channel SIPMOS Power Transistor