Low Voltage MOSFETs The SPB47N10 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 47A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 188A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 19mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** N-channel MOSFET  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Applications:** Power switching in automotive, industrial, and consumer electronics  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Rated:** Robust performance under high-energy conditions  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

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Low Voltage MOSFETs