Low Voltage MOSFETs The SPB42N03S2L-13 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 13mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on Infineon’s datasheet for the SPB42N03S2L-13 MOSFET.

Low Voltage MOSFETs