for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPB21N50C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** CoolMOS™ C3 (Superjunction MOSFET)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Applications:** Power supplies, lighting, motor control, and industrial applications  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the SPB21N50C3.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching