SIPMOS® Parametric Search The SPB18P06P is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 83W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SPB18P06P is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in various electronic systems.  
- The device is housed in a TO-263 (D2PAK) package for improved thermal performance.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation.

SIPMOS® Parametric Search