Low Voltage MOSFETs The **SPB160N04S2-03** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 160 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 640 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.6 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low conduction losses** due to low R_DS(on).  
- **Fast switching performance** for improved efficiency in DC-DC converters, motor control, and power management.  
- **Avalanche rugged** design for enhanced reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  
- Suitable for **automotive and industrial applications**.  

This MOSFET is part of Infineon’s **OptiMOS™ 40V family**, offering high current handling and thermal performance.  

(Note: All details are based on factual data from Infineon’s product documentation.)

Low Voltage MOSFETs