OptiMOS Power-Transistor The SPB100N08S2L-07 is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPB100N08S2L-07  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5 V (typical)  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **SPB100N08S2L-07** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- Optimized for **switching applications** in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for high efficiency.  
- **Fast switching speed** for improved performance.  
- **High current capability** (100 A continuous).  
- **Avalanche ruggedness** for robustness in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon’s official documentation**.

OptiMOS Power-Transistor