OptiMOS Power-Transistor The SPB100N08S2-07 is a power MOSFET manufactured by IFN. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IFN  
- **Part Number:** SPB100N08S2-07  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **RDS(ON) (Max):** 7.0mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SPB100N08S2-07 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in high-power circuits.  

### **Features:**  
- **Low RDS(ON):** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Thermal Performance:** Designed for high-power dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official IFN datasheet.

OptiMOS Power-Transistor