### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **R_DS(on) (Max):** 5 mΩ at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5 V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.