Low Voltage MOSFETs The SPB100N03S2L-03 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Optimized for high efficiency in power management circuits.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-state resistance (R_DS(on)).  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPB100N03S2L-03 MOSFET.

Low Voltage MOSFETs