### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Voltage (VDS):** -60V  
- **Current (ID):** -8A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max) at VGS = -10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheets, refer to Infineon's official documentation.