for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPB07N60C2 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPB07N60C2 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s CoolMOS™ C2 series, optimized for efficiency in power supplies, inverters, and motor control systems.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy pulses.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Suitable for surface-mount applications.  

This information is strictly factual and derived from Infineon's datasheet for the SPB07N60C2 MOSFET.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching