for lowest Conduction Losses The **SPB04N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** CoolMOS™ S5 (Superjunction MOSFET)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  
- **Applications:**  
  - Switch-mode power supplies (SMPS)  
  - Power factor correction (PFC)  
  - Lighting applications  
  - Industrial power systems  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 600 V applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Rugged:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the **SPB04N60S5** MOSFET.