for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPB04N60C2** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 4 A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 38 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400 pF (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** CoolMOS™ C2 (Superjunction MOSFET)  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications such as power supplies, lighting, and motor control.  
- **RoHS Compliance:** Yes  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & Halogen-Free:** Compliant with environmental standards.  

This information is sourced directly from Infineon’s official documentation.