for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPB04N50C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SPB04N50C3 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for low conduction losses and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-263 (D²PAK) package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPB04N50C3 power MOSFET.