for lowest Conduction Losses The **SPB03N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPB03N60S5  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPB03N60S5** is a **600V N-Channel MOSFET** designed for high-voltage switching applications. It is optimized for **low gate charge** and **fast switching performance**, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free, RoHS Compliant**  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.