for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPB03N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 3A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.5A)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The **SPB03N60C3** is a **N-channel** MOSFET designed for high-voltage switching applications.  
- It is part of Infineon’s **Super Junction (CoolMOS™) technology**, offering low conduction and switching losses.  
- Suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for improved efficiency.  
- **Fast Switching Performance** due to optimized gate charge.  
- **Avalanche Ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

For exact application details, refer to the official **Infineon datasheet**.