for lowest Conduction Losses The SPB02N60S5 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPB02N60S5  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 160pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 6pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SPB02N60S5 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Low On-Resistance:** Improves conduction losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPB02N60S5.