for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPB02N60C3 is a CoolMOS™ Power Transistor manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Voltage Rating (VDSS):** 650 V  
- **Current Rating (ID):** 2 A  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 3.2 Ω (max) at VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (Ptot):** 42 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Descriptions:**
- The SPB02N60C3 is a high-voltage MOSFET designed for efficient power switching applications.  
- It is part of Infineon’s CoolMOS™ C3 series, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for use in power supplies, lighting, and industrial applications.  
### **Features:**
- **Low Gate Charge (QG):** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **High Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Low RDS(on):** Improves conduction efficiency.  
- **Optimized for High-Frequency Operation:** Suitable for SMPS and other fast-switching circuits.  
For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Infineon.