for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA21N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 500V  
- **Current Rating (I_D):** 21A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) – 5V (max)  
- **Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **SPA21N50C3** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction losses and fast switching performance.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for efficient operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **SPA21N50C3** by Infineon.