for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA20N65C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPA20N65C3  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **SPA20N65C3** is a high-voltage **N-Channel MOSFET** designed for efficient power switching applications.  
- It is part of Infineon’s **CoolMOS™ C3** family, optimized for **low conduction and switching losses**.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), PFC (Power Factor Correction), and motor control** applications.  

### **Features:**
- **High voltage capability (650 V)** for robust performance.  
- **Low R_DS(on) (0.19 Ω)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **Optimized gate charge (Q_G)** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **TO-247 package** for effective thermal dissipation.  

This information is strictly based on Infineon’s datasheet for the **SPA20N65C3** MOSFET. For detailed application notes, refer to the official documentation.