for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... **Manufacturer:** Infineon  

**Part Number:** SPA17N80C3  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

**Descriptions:**  
The SPA17N80C3 is an N-Channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

**Features:**  
- High voltage capability (800V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-state resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free, RoHS-compliant package