for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA15N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 45 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 250 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPA15N60C3** is a **CoolMOS™ C3** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (650 V)**  
- **Low On-State Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **Improved Thermal Performance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The device is packaged in **TO-247**, ensuring good thermal dissipation.  

(Data sourced from Infineon's official documentation.)