for lowest Conduction Losses & fastest Switching Here are the factual details about the **SPA12N50C3** from the manufacturer **Infineon**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPA12N50C3  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.38Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 40pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SPA12N50C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 500V drain-source voltage.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and switching losses.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is sourced from Infineon's official documentation.