for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... ### **SPA11N80C3 - Manufacturer: Infineon**  

#### **Specifications:**  
- **Part Number:** SPA11N80C3  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3 (Superjunction Technology)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 156 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

#### **Descriptions:**  
The **SPA11N80C3** is an **N-Channel MOSFET** from Infineon’s **CoolMOS™ C3** family, designed for high-efficiency power conversion applications. It features **superjunction technology**, enabling low conduction and switching losses. With an **800V breakdown voltage** and **low on-resistance**, it is suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial applications**.  

#### **Features:**  
- **High Voltage Rating (800V)** – Suitable for high-power applications.  
- **Low R_DS(on) (0.45 Ω max)** – Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** – Optimized for high-frequency operation.  
- **Superjunction Technology (CoolMOS™ C3)** – Enhances efficiency and thermal performance.  
- **Avalanche Ruggedness** – Improved reliability under harsh conditions.  
- **TO-220 Package** – Standard through-hole mounting for easy integration.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** – Enables efficient driving with minimal losses.  

This MOSFET is ideal for **power supplies, inverters, motor drives, and energy-efficient designs**.