for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA11N65C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 140 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28 nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 65 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **SPA11N65C3** is a high-voltage N-channel MOSFET based on Infineon’s **CoolMOS™ C3 technology**, optimized for high efficiency and reliability in power applications. It is designed for switching applications such as power supplies, motor control, and lighting.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating (650 V):** Suitable for industrial and consumer power applications.  
- **Optimized Gate Charge (Q_g):** Improves switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged operating conditions.  
- **Low Capacitances (C_iss, C_oss, C_rss):** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.