for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA11N65C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1250 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**
- **CoolMOS™ C3 Technology:** Provides high efficiency and reliability in power conversion applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Performance:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche-Rugged Design:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Enhances switching efficiency.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and industrial applications.  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-efficiency power management solutions.