for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA11N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Category:** Power MOSFET (N-Channel)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 11A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 160pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPA11N60C3** is a **600V N-Channel Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified** for robustness  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the **SPA11N60C3**.