for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The **SPA08N80C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 8A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPA08N80C3** is an **N-channel MOSFET** designed for high-voltage switching applications. It is part of Infineon’s **CoolMOS™ C3** family, optimized for high efficiency and low switching losses in power supply designs.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **CoolMOS™ C3 Technology:** Improves thermal performance and efficiency.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting.  

This MOSFET is commonly used in **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, motor control, and industrial applications**.  

(End of factual information.)