for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA07N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.95Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **SPA07N60C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and reliability in power supply, motor control, and industrial applications.  
- The device features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.