for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPA07N60C2** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching applications**  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Low conduction losses** due to optimized R_DS(on)  
- Suitable for **switched-mode power supplies (SMPS), motor control, and inverters**  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **SPA07N60C2** MOSFET.